Hromadná výroba prvních 512 GB eUFS 3.0 paměťových čipů zahájená společností Samsung

Společnost Samsung oznámila, že zahájí masovou výrobu 512 GB úložiště eUFS 3.0. Pro mobilní průmysl by to bylo poprvé, protože všechny ostatní smartphony v tuto chvíli stále používají paměťové čipy eUFS 2.1. Tyto čipy budou bohužel použity v „příští generaci smartphonů“ a nebudou přítomny v nových zařízeních řady S10. Říkalo se však, že Samsung by mohl debutovat s paměťovými čipy v novém zařízení Samsung Galaxy Fold.

Chel Choi, viceprezident pro prodej a marketing paměti společnosti Samsung Electronics, uvedl „Zahájení sériové výroby naší řady eUFS 3.0 nám dává velkou výhodu na mobilním trhu nové generace, na který přinášíme rychlost čtení paměti, která byla dříve k dispozici pouze u ultratenkých notebooků“.

512 GB eUFS 3.0 bude vybaven osmi 512 GB V-NAND matricí páté generace a také bude mít vysoce výkonný řadič. Očekává se rychlost čtení až 2 100 MB / s, což bude více než dvakrát rychlejší než u současných čipů eUFS 2.1. Nové čipy jsou z hlediska výkonu úložiště údajně stejně rychlé jako nedávné ultratenké notebooky. Na druhou stranu se rychlost zápisu údajně bude pohybovat kolem 410 MB / s, což by ji umístilo do stejné oblasti rychlosti jako SATA SSD. Kromě toho došlo ke zvýšení také u operací vstupu / výstupu za sekundu (IOPS), které prováděly 63 000 náhodných čtení IOPS a 68 000 náhodných zápisů IOPS. S těmito rychlostmi můžete přenášet film ve Full HD ze smartphonu do notebooku za pouhé 3 krátké sekundy.

eUFS 3.0

To bezpochyby vytvoří tlak na konkurenty, aby do budoucích telefonů přidali paměťové čipy eUFS 3.0. Můžeme tedy očekávat, že brzy více standardů přijme společnost.